Storage Temperature

T_S

‑40

85

°C

Storage Ambient Relative Humidity

H_A

0

85

%

Maximum Supply Voltage

V_CC

‑0.5

4.0

V

Signal Input Voltage

‑0.3

Vcc+0.3

V

Receiver Damage Threshold

+3.4

dBm

Lead Soldering Temperature/Time

TSOLD

260/10

°C/sec

1

Lead Soldering Temperature/Time

TSOLD

360/10

°C/sec

2

Bit Rate (All Wavelengths Combined)

BR

103.1

Gb/s

1

Bit Error Ratio(pre‑FEC)

BER

10‑5

2

Link distance on OM3 MMF

d

70

meters

3

Link distance on OM4 MMF

d

100

meters

3

Transmitter (per Lane)

Average Output Power per Lane

P_OUT

‑8.4

2.4

dBm

Transmit OMA per Lane

TxOMA

‑6.4

3.0

dBm

Extinction Ratio

ER

2

dB

Center Wavelength

λ_C

840

860

nm

RMS Spectral Width

σ

0.6

nm

Transmitter OFF Output Power

P_Off

‑30

dBm

Transmitter Eye Mask Definition

{X1, X2, X3, Y1, Y2, Y3}

{0.3, 0.38, 0.45, 0.35, 0.41, 0.5}

1

Receiver (per Lane)

Input Optical Wavelength

λ_IN

840

860

nm

Rx Sensitivity (OMA) per Lane

R_SENS

‑10.3

dBm

2

Input Saturation Power (Overload)

PSAT

+3.4

dBm

Receiver Reflectance

Rfl

‑12

dBm

Loss of Signal Assert

P_A

‑30

dBm

Loss of Signal De‑Assert

P_D

‑11.3

dBm

LOS Hysteresis

P_D ‑ P_A

0.5

6

dB

Supply Voltage

V_CC

3.15

3.45

V

Supply Current

I_CC

1.5

A

Module Total Power

P

3.5

W

1

Transmitter

Signaling Rate per Lane

25.78125±100ppm

Gb/s

Differential pk‑pk Input Voltage Tolerance

V_{in, pp, diff}

900

mV

Single‑Ended Voltage Tolerance

V_in, pp

‑0.35

+3.3

V

Module Stress Input Test

Per Section 83E.3.4.1, IEEE802.3bm

Receiver

Signaling Rate Per Lane

25.78125 ppm ± 100ppm

Gb/s

Differential Data Output Swing

V_out, pp

100

400

mVpp

2

300

600

400

600

800

600

1200

Eye Width

0.57

UI

Eye Height, Differential

228

mV

Vertical Eye Closure

VEC

5.5

dB